Kód: 06976695
This monograph is the first on physics-based simulations of novel strained Si and SiGe devices. It provides an in-depth description of the full-band monte-carlo method for SiGe and discusses the common theoretical background of th ... celý popis
Angličtina
Nákupem získáte 236 bodů
Anotace knihy
This monograph is the first on physics-based simulations of novel strained Si and SiGe devices. It provides an in-depth description of the full-band monte-carlo method for SiGe and discusses the common theoretical background of the drift-diffusion, hydrodynamic and Monte-Carlo models and their synergy.
Parametry knihy
Zařazení knihy Knihy v angličtině Computing & information technology Computer science Systems analysis & design
2357 Kč
Angličtina
Osobní odběr Praha, Brno a 47531 dalších
Copyright ©2008-26 nejlevnejsi-knihy.cz Všechna práva vyhrazenaSoukromíCookies
Vrácení do měsíce
571 999 099 (8-15.30h)Nákupní košík ( prázdný )