Mohlo by se vám také líbit

Více informací o knize Emerging Resistive Switching Memories

• Parametry knihy
• Anotace
• Oblíbené z jiného soudku

Nákupem získáte 118 bodů

Anotace knihy

This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete description of the materials involved as well as the fundamental properties of the technology. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices.§

Parametry knihy

Zařazení knihy Knihy v angličtině Technology, engineering, agriculture Electronics & communications engineering Electronics engineering

• Plný název: Emerging Resistive Switching Memories
• Autor: Jianyong Ouyang
• Jazyk: Angličtina
• Vazba: Brožovaná
• Počet stran: 93
• EAN: 9783319315706
• ISBN: 3319315706
• ID: 02942824
• Nakladatelství: Springer International Publishing AG
• Hmotnost: 1708 g
• Rozměry: 235 × 155 × 7 mm
• Datum vydání: 05. July 2016

Oblíbené z jiného soudku

---

---

---