Mohlo by se vám také líbit

Více informací o knize Raschet novyh svojstv shirokozonnyh poluprovodnikovyh materialov

• Parametry knihy
• Anotace
• Oblíbené z jiného soudku

Nákupem získáte 80 bodů

Anotace knihy

V monografii rassmotreny novye svojstva nanostrukturirovannyh materialov jelektroniki: shirokozonnye poluprovodniki tipa A2V6, SiC i tverdye rastvory na osnove karbida kremniya. V rabote analizirujutsya metody opisaniya novyh jeffektov: gigantskoe usilenie (na dva poryadka) teplovogo soprotivleniya jekzokeramiki i dijelektricheskoj pronicaemosti tverdyh rastvorov karbida kremniya; kvantovyj interferencionnyj jeffekt v segnetojelektrikah; razmernye jeffekty. Predlozhena model' vysoty bar'era Shottki v diodah na osnove SiC i rasschitany ih vol'-tampernye harakteristiki. Monografiya soderzhit spravochnyj material po svojstvam ukazannyh sistem i adresovana studentam, prepodavatelyam, aspirantam, inzheneram-tehnologam v oblasti mikro,-nanojelektroniki i modelirovaniya svojstv nanostrukturirovannyh materialov.

Parametry knihy

• Plný název: Raschet novyh svojstv shirokozonnyh poluprovodnikovyh materialov
• Autor: A. V. Sankin, V. I. Altuhov, B. A. Kazarov
• Jazyk: Ruština
• Vazba: Brožovaná
• Počet stran: 160
• EAN: 9783330351868
• ID: 17640728
• Nakladatelství: LAP Lambert Academic Publishing
• Hmotnost: 256 g
• Rozměry: 220 × 150 × 10 mm
• Rok vydání: 2017

Oblíbené z jiného soudku

---

---

---