Mohlo by se vám také líbit

Více informací o knize Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits

• Parametry knihy
• Anotace
• Oblíbené z jiného soudku

Nákupem získáte 118 bodů

Anotace knihy

Proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits, Sogesta, Urbino, Italy, July 12-23, 1982

Parametry knihy

Zařazení knihy Knihy v angličtině Technology, engineering, agriculture Electronics & communications engineering Electronics engineering

• Plný název: Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits
• Autor: P. Antognetti, D.A. Antoniadis, Robert W. Dutton, W.G. Oldham
• Jazyk: Angličtina
• Vazba: Brožovaná
• Počet stran: 636
• EAN: 9789400968448
• ISBN: 9400968442
• ID: 02190676
• Nakladatelství: Springer
• Hmotnost: 961 g
• Rozměry: 235 × 155 × 34 mm
• Datum vydání: 09. October 2011

Oblíbené z jiného soudku

---

---

---