Mohlo by se vám také líbit

Více informací o knize Metal Oxide Semiconductor Physics and Technology

• Parametry knihy
• Anotace
• Oblíbené z jiného soudku

Nákupem získáte 557 bodů

Anotace knihy

Explains the theoretical and experimental foundations of the measurement of the electrical properties of the MOS system and the technology for controlling its properties. Emphasizes the silica and the silica-silicon interface. Provides a critical assessment of the literature, corrects incomplete or incorrect theoretical formulations, and gives critical comparisons of measurement methods. Contains information needed to grow an oxide, make an MOS capacitor array, and fabricate an integrated circuit with optimal performance and stability.

Parametry knihy

Zařazení knihy Knihy v angličtině Technology, engineering, agriculture Electronics & communications engineering Electronics engineering

• Plný název: Metal Oxide Semiconductor Physics and Technology
• Autor: J.R. Brews, E.H. Nicollian
• Jazyk: Angličtina
• Vazba: Brožovaná
• Počet stran: 928
• EAN: 9780471430797
• ISBN: 047143079X
• ID: 04890864
• Nakladatelství: John Wiley & Sons Inc
• Hmotnost: 1338 g
• Rozměry: 238 × 414 × 57 mm
• Datum vydání: 13. December 2002

Oblíbené z jiného soudku

---

---

---