Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors / Nejlevnější knihy
Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors

Kód: 01422289

Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors

Autor Jeroen A. Croon, Willy M. C. Sansen, Herman E. Maes

Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors examines this interesting phenomenon. Microscopic fluctuations cause stochastic parameter fluctuations that affect the accuracy of the MOSFET. For analog circuits this determi ... celý popis

5094


Skladem u dodavatele v malém množství
Odesíláme za 12-15 dnů

Potřebujete více kusů?Máte-li zájem o více kusů, prověřte, prosím, nejprve dostupnost titulu na naši zákaznické podpoře.


Přidat mezi přání

Mohlo by se vám také líbit

Darujte tuto knihu ještě dnes
  1. Objednejte knihu a zvolte Zaslat jako dárek.
  2. Obratem obdržíte darovací poukaz na knihu, který můžete ihned předat obdarovanému.
  3. Knihu zašleme na adresu obdarovaného, o nic se nestaráte.

Více informací

Více informací o knize Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors

Nákupem získáte 509 bodů

Anotace knihy

Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors examines this interesting phenomenon. Microscopic fluctuations cause stochastic parameter fluctuations that affect the accuracy of the MOSFET. For analog circuits this determines the trade-off between speed, power, accuracy and yield. Furthermore, due to the down-scaling of device dimensions, transistor mismatch has an increasing impact on digital circuits. The matching properties of MOSFETs are studied at several levels of abstraction:§A simple and physics-based model is presented that accurately describes the mismatch in the drain current. The model is illustrated by dimensioning the unit current cell of a current-steering D/A converter.§The most commonly used methods to extract the matching properties of a technology are bench-marked with respect to model accuracy, measurement accuracy and speed, and physical contents of the extracted parameters. §The physical origins of microscopic fluctuations and how they affect MOSFET operation are investigated. This leads to a refinement of the generally applied 1/area law. In addition, the analysis of simple transistor models highlights the physical mechanisms that dominate the fluctuations in the drain current and transconductance. §The impact of process parameters on the matching properties is discussed. §The impact of gate line-edge roughness is investigated, which is considered to be one of the roadblocks to the further down-scaling of the MOS transistor. §Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors is aimed at device physicists, characterization engineers, technology designers, circuit designers, or anybody else interested in the stochastic properties of the MOSFET.

Parametry knihy

Zařazení knihy Knihy v angličtině Technology, engineering, agriculture Electronics & communications engineering Electronics engineering

5094

Oblíbené z jiného soudku



Osobní odběr Praha, Brno a 12903 dalších

Copyright ©2008-24 nejlevnejsi-knihy.cz Všechna práva vyhrazenaSoukromíCookies


Můj účet: Přihlásit se
Všechny knihy světa na jednom místě. Navíc za skvělé ceny.

Nákupní košík ( prázdný )

Vyzvednutí v Zásilkovně
zdarma nad 1 499 Kč.

Nacházíte se: