Exploration of the Potential Defects in GaN HEMTs / Nejlevnější knihy
Exploration of the Potential Defects in GaN HEMTs

Kód: 06820289

Exploration of the Potential Defects in GaN HEMTs

Autor Hsiang Chen

What happens inside a GaN HEMT during device §operations? Usually,destructive measurements are §required to analyze the defect and the carrier§trapping - which are the two biggest reliabilty §issues in GaN electronics.The novel no ... celý popis

1490 Kč


U nakladatele na objednávku
Odesíláme za 3-5 dnů
Přidat mezi přání

Mohlo by se vám také líbit

Darujte tuto knihu ještě dnes
  1. Objednejte knihu a zvolte Zaslat jako dárek.
  2. Obratem obdržíte darovací poukaz na knihu, který můžete ihned předat obdarovanému.
  3. Knihu zašleme na adresu obdarovaného, o nic se nestaráte.

Více informací

Více informací o knize Exploration of the Potential Defects in GaN HEMTs

Nákupem získáte 149 bodů

Anotace knihy

What happens inside a GaN HEMT during device §operations? Usually,destructive measurements are §required to analyze the defect and the carrier§trapping - which are the two biggest reliabilty §issues in GaN electronics.The novel noninvasive §optical characterization techniques provided by this §book can visualize the potential defect and the §trapping region inside an operating GaN HEMT. The §techniques show promise for screening the device §failure.

Parametry knihy

1490 Kč

Oblíbené z jiného soudku

O tomto obchodě



Nákupní rádce
Přehledy
Knihy podle jazyka
Platba
Doručení 54 Kč

Osobní odběr Praha, Brno a 12903 dalších

Česko
България Hrvatska România Magyarország Polska Slovensko

Copyright ©2008-24 nejlevnejsi-knihy.cz Všechna práva vyhrazenaSoukromíCookies

Můj účet: Přihlásit se
Všechny knihy světa na jednom místě. Navíc za skvělé ceny.

Nákupní košík ( prázdný )

Vyzvednutí v Zásilkovně
zdarma nad 1 499 Kč.

Nacházíte se: