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Le traitement Si/N, lors de l'élaboration du GaN ŕ haute température et ŕ pression atmosphérique par Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse d'OrganoMétalliques (EPVOM), améliore nettement la qualité morphologique, électrique, structurale et optique. Le mode de croissance observé est un passage de 3D ŕ 2D au cours de l'épaississement de la couche de GaN. Par la suite un dopage de type p et n dans GaN est réalisé en utilisant respectivement le magnésium et le silicium, conduisant ainsi ŕ une homojonction p/n pour fabriquer une diode électroluminescente bleue. Pour augmenter son rendement optique, une intercalation de puits quantiques InGaN est effectuée.

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Zařazení knihy Knihy ve francouzštině LITTÉRATURE GÉNÉRALE Essais littéraires

• Plný název: Elaboration Des Nitrures de Gallium Avec Traitement Si/N
• Autor: Zohra Benzarti
• Jazyk: Francouzština
• Vazba: Brožovaná
• Počet stran: 160
• EAN: 9786131597275
• ISBN: 6131597278
• ID: 06886730
• Nakladatelství: Omniscriptum
• Hmotnost: 245 g
• Rozměry: 229 × 152 × 9 mm
• Datum vydání: 28. February 2018

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