Mohlo by se vám také líbit

Více informací o knize Structural properties of luminescent nitride semiconductors

• Parametry knihy
• Anotace
• Oblíbené z jiného soudku

Nákupem získáte 170 bodů

Anotace knihy

This book presents the results of structural studies of InGaN, AlGaN, InAlN, and rare-earth doped (Tm, Er and Eu) GaN by Extended X-ray Absorption Fine Structure; optical characterisation of RE-doped GaN by cathodoluminescence, photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopies. First attempts to identify the lattice location of emitting centres in nitride semiconductors using X-ray Excited Optical Luminescence for EXAFS detection are also presented.

Parametry knihy

• Plný název: Structural properties of luminescent nitride semiconductors
• Podnázev: This book presents the results of structural and spectroscopic studies of luminescent nitride semiconductors
• Autor: Vyacheslav Kachkanov
• Jazyk: Angličtina
• Vazba: Brožovaná
• Počet stran: 176
• EAN: 9783838323336
• ID: 06981677
• Nakladatelství: LAP Lambert Academic Publishing
• Hmotnost: 280 g
• Rozměry: 220 × 150 × 11 mm
• Rok vydání: 2010

Oblíbené z jiného soudku

---

---

---