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Více informací o knize Modelo de los efectos de la radiacion laser sobre heteroestructuras semiconductoras

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En particular, el estudio se enfoca en un modelo matemático, que representa el control del Factor de Landé electrónico de una heteroestructura semiconductora de GaAs/GaAl/As. La no parabolicidad y la anisotropía de las bandas de conducción y de valencia se consideran mediante la utilización del Hamiltoniano de Ogg-McCombe, al respecto se han reportado trabajos previos del director del proyecto, y son el punto de partida para considerar las propiedades del factor de Landé del sistema como función del campo magnético variable aplicado y resultados del estudio de un sistema de muchos cuerpos.

Parametry knihy

• Plný název: Modelo de los efectos de la radiacion laser sobre heteroestructuras semiconductoras
• Autor: Ramirez Velasquez Iliana Maria
• Jazyk: Španělština
• Vazba: Brožovaná
• Počet stran: 92
• EAN: 9783659096808
• ISBN: 3659096806
• ID: 09922865
• Nakladatelství: Editorial Academica Espanola
• Hmotnost: 145 g
• Rozměry: 229 × 152 × 6 mm
• Datum vydání: 02. September 2015

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