Materials Reliability in Microelectronics VI : Volume 428 / Nejlevnější knihy
Materials Reliability in Microelectronics VI  : Volume 428

Kód: 02060085

Materials Reliability in Microelectronics VI : Volume 428

Autor J. Joseph Clement, William F. Filter, Patrick M. Lenahan, Anthony S. Oates, Robert Rosenberg

MRS books on materials reliability in microelectronics have become the snapshot of progress in this field. Reduced feature size, increased speed, and larger area are all factors contributing to the continual performance and functi ... celý popis

643


Očekávaný dotisk
Termín neznámý

Informovat o naskladnění

Přidat mezi přání

Mohlo by se vám také líbit

Dárkový poukaz: Radost zaručena

Objednat dárkový poukazVíce informací

Informovat o naskladnění knihy

Informovat o naskladnění knihy


Souhlas - Souhlasím se zasíláním obchodních sdělení a zpracováním osobních údajů k obchodním sdělením.

Zašleme vám zprávu jakmile knihu naskladníme

Zadejte do formuláře e-mailovou adresu a jakmile knihu naskladníme, zašleme vám o tom zprávu. Pohlídáme vše za vás.

Více informací o knize Materials Reliability in Microelectronics VI : Volume 428

Nákupem získáte 64 bodů

Anotace knihy

MRS books on materials reliability in microelectronics have become the snapshot of progress in this field. Reduced feature size, increased speed, and larger area are all factors contributing to the continual performance and functionality improvements in integrated circuit technology. These same factors place demands on the reliability of the individual components that make up the IC. Achieving increased reliability requires an improved understanding of both thin-film and patterned-feature materials properties and their degradation mechanisms, how materials and processes used to fabricate ICs interact, and how they may be tailored to enable reliability improvements. This book focuses on the physics and materials science of microelectronics reliability problems rather than the traditional statistical, accelerated electrical testing aspects. Studies are grouped into three large sections covering electromigration, gate oxide reliability and mechanical stress behavior. Topics include: historical summary; reliability issues for Cu metallization; characterization of electromigration phenomena; modelling; microstructural evolution and influences; oxide and device reliability; thin oxynitride dielectrics; noncontact diagnostics; stress effects in thin films and interconnects and microbeam X-ray techniques for stress measurements.

Parametry knihy

Zařazení knihy Knihy v angličtině Technology, engineering, agriculture Mechanical engineering & materials Materials science

643

Oblíbené z jiného soudku



Osobní odběr Praha, Brno a 47529 dalších

Copyright ©2008-26 nejlevnejsi-knihy.cz Všechna práva vyhrazenaSoukromíCookies


Můj účet: Přihlásit se
Všechny knihy světa na jednom místě. Navíc za skvělé ceny.

Nákupní košík ( prázdný )

Vyzvednutí v Balikovně a PPL
boxech
zdarma nad 1 499 Kč.

Nacházíte se: