Mohlo by se vám také líbit

Více informací o knize Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design

• Parametry knihy
• Anotace
• Oblíbené z jiného soudku

Nákupem získáte 236 bodů

Anotace knihy

Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. This book addresses various issues for designing SRAM memory cells for advanced CMOS technology. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.

Parametry knihy

Zařazení knihy Knihy v angličtině Technology, engineering, agriculture Electronics & communications engineering Electronics engineering

• Plný název: Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design
• Autor: Koichiro Ishibashi, Kenichi Osada
• Jazyk: Angličtina
• Vazba: Pevná
• Počet stran: 144
• EAN: 9783642195679
• ISBN: 3642195679
• ID: 01657531
• Nakladatelství: Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG
• Hmotnost: 407 g
• Rozměry: 235 × 155 × 13 mm
• Datum vydání: 18. August 2011

Oblíbené z jiného soudku

---

---

---