Electrical Confinement for the Crystalline Silicon Thin-Film Solar Cell on Foreign Substrate / Nejlevnější knihy
Electrical Confinement for the Crystalline Silicon Thin-Film Solar Cell on Foreign Substrate

Kód: 01915322

Electrical Confinement for the Crystalline Silicon Thin-Film Solar Cell on Foreign Substrate

Autor Stefan Reber

Crystalline silicon thin-film solar cells have the potential to drastically reduce the cost for silicon solar cells. The aim of the work described in this book was to improve the quality of thin silicon layers on foreign substrate ... celý popis

986

Dostupnost:

50 % šanceMáme informaci, že by titul mohl být dostupný. Na základě vaší objednávky se ho pokusíme do 6 týdnů zajistit.
Prohledáme celý svět

Informovat o naskladnění

Přidat mezi přání

Mohlo by se vám také líbit

Dárkový poukaz: Radost zaručena

Objednat dárkový poukazVíce informací

Informovat o naskladnění knihy

Informovat o naskladnění knihy


Souhlas - Souhlasím se zasíláním obchodních sdělení a zpracováním osobních údajů k obchodním sdělením.

Zašleme vám zprávu jakmile knihu naskladníme

Zadejte do formuláře e-mailovou adresu a jakmile knihu naskladníme, zašleme vám o tom zprávu. Pohlídáme vše za vás.

Více informací o knize Electrical Confinement for the Crystalline Silicon Thin-Film Solar Cell on Foreign Substrate

Nákupem získáte 99 bodů

Anotace knihy

Crystalline silicon thin-film solar cells have the potential to drastically reduce the cost for silicon solar cells. The aim of the work described in this book was to improve the quality of thin silicon layers on foreign substrates and to apply the experience gained hereby to various low-cost substrates. Two aspects of the crystalline silicon thin-film solar cell were examined intensively to reach this goal: diffusion barrier properties of common intermediate layers, and zone-melting recrystallisation of silicon layers.For investigation of diffusion barrier layers, the focus was set to diffusion of the transition metals iron, chromium and vanadium in the intermediate layer materials SiO2 and SiNx deposited by plasma-enhanced chemical vapour deposition. Temperatures ranging from 900°C to 1350°C were applied to the samples.Zone-melting recrystallisation of silicon is an important technique to prepare large crystal grains of several millimetres width and several centimetres length on amorphous substrates. Parameter studies on SiO2-capped multicrystalline silicon wafers were done to investigate the effect of the so-called supercooled zone on crystal quality. One-side contacted solar cells were prepared on optimised layers on such model substrates. For the first time, also low-cost ribbon silicon and ceramics (SiSiC, Si3N4, SiAlON, mullite) were tested as substrate material. Cell efficiencies up to 10.5% could be obtained when using these materials.

Parametry knihy

986

Oblíbené z jiného soudku



Osobní odběr Praha, Brno a 12903 dalších

Copyright ©2008-24 nejlevnejsi-knihy.cz Všechna práva vyhrazenaSoukromíCookies


Můj účet: Přihlásit se
Všechny knihy světa na jednom místě. Navíc za skvělé ceny.

Nákupní košík ( prázdný )

Vyzvednutí v Zásilkovně
zdarma nad 1 499 Kč.

Nacházíte se: