Mohlo by se vám také líbit

Více informací o knize Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells

• Parametry knihy
• Anotace
• Oblíbené z jiného soudku

Nákupem získáte 147 bodů

Anotace knihy

Abstract: This dissertation presents a quantitative study of the physical mechanisms underlying the anomolously large recombination current experimentally observed in heavily doped regions of silicon pn-junction solar cells and bipolar transistors. The

Parametry knihy

Zařazení knihy Knihy v angličtině Technology, engineering, agriculture Energy technology & engineering Electrical engineering

• Plný název: Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells
• Autor: MUHAMMED SHIBIB
• Jazyk: Angličtina
• Vazba: Brožovaná
• Počet stran: 206
• EAN: 9780530008127
• ISBN: 0530008122
• ID: 22569085
• Nakladatelství: Dissertation Discovery Company
• Hmotnost: 490 g
• Rozměry: 279 × 216 × 11 mm
• Datum vydání: 31. May 2019

Oblíbené z jiného soudku

---

---

---