Mohlo by se vám také líbit

Více informací o knize AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications

• Parametry knihy
• Anotace
• Oblíbené z jiného soudku

Nákupem získáte 129 bodů

Anotace knihy

This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs.

Parametry knihy

• Plný název: AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications
• Autor: Jutta Kühn
• Jazyk: Angličtina
• Vazba: Brožovaná
• Počet stran: 259
• EAN: 9783866446151
• ID: 01877569
• Nakladatelství: KIT Scientific Publishing
• Hmotnost: 430 g
• Rozměry: 210 × 148 × 12 mm
• Rok vydání: 2011

Oblíbené z jiného soudku

---

---

---