Zuchtung und Charakterisierung von siliziumreichem, multikristallinem Silizium-Germanium fur Solarzellenanwendungen / Nejlevnější knihy
Zuchtung und Charakterisierung von siliziumreichem, multikristallinem Silizium-Germanium fur Solarzellenanwendungen

Kód: 02437104

Zuchtung und Charakterisierung von siliziumreichem, multikristallinem Silizium-Germanium fur Solarzellenanwendungen

Autor Peter Raue

Doktorarbeit / Dissertation aus dem Jahr 2000 im Fachbereich Physik - Experimentalphysik, Note: 1,0, Technische Universität Bergakademie Freiberg (unbekannt), Sprache: Deutsch, Abstract: Inhaltsangabe:Zusammenfassung:§Multikristal ... celý popis

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Doktorarbeit / Dissertation aus dem Jahr 2000 im Fachbereich Physik - Experimentalphysik, Note: 1,0, Technische Universität Bergakademie Freiberg (unbekannt), Sprache: Deutsch, Abstract: Inhaltsangabe:Zusammenfassung:§Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden nicht von der in dieser Arbeit entwickelten Tiegelkonstruktion beeinflusst. Die Kristalle zeigen mit ± 0,2 at% (absolut) geringe Ge-Fluktuationen und haben niedrige Versetzungsdichten im Bereich von 105 cm-2. Die Segregation ließ sich mit der Pfann-Formel für eine vollständig durchmischte Schmelze gut beschreiben.§Der beobachtete effektive Ge-Verteilungskoeffizient fiel von 0,35 zu Beginn der Züchtung auf 0,16 am Ende der kontrollierten Erstarrung. Solarzellen wurden aus SiGe-Wafern mit 11 at% Ge prozessiert. Sie haben Wirkungsgrade von bis zu 4,8 %. LBIC-Messungen zeigen Zellbereiche mit einer internen Quanten-Effizienz von über 90 %. Starke Kurzschlussströme über den Rand der Zellen und unter Kontaktfingern konnten in Thermographie-Untersuchungen nachgewiesen werden.§Inhaltsverzeichnis:Inhaltsverzeichnis:§1.Grundlagen5§1.1Das System Silizium-Germanium5§1.1.1Phasendiagramm5§1.1.2Verteilungskoeffizient k6§1.1.3Makrosegregation8§1.1.4Konstitutionelle Unterkühlung9§1.1.5Physikalische Eigenschaften10§1.1.6Kristallstruktur12§1.1.7Ursachen für Versetzungen12§1.2Ergebnisse aus der Literatur15§1.3Methodisches Vorgehen17§2.Kristallzüchtung20§2.1Verwendete Züchtungsapparatur20§2.2Züchtung in einem elektromagnetischen Mittelfrequenzfeld22§2.3Der Tiegel25§2.4Die Züchtung28§2.4.1Züchtungsablauf28§2.4.2Temperaturmessung29§2.5Proben-Präparation33§2.5.1Polieren33§3.Segregation34§3.1Axiale Germanium-Konzentrations-Verläufe34§3.1.2Diskussion42§3.1.3Verlauf der Phasengrenze46§3.2Mikrosegregation47§4.Eigenschaften von multikristallinem Silizium-Germanium53§4.1Defekte in multikristallinem Silizium-Germanium53§4.1.1Anätzen von Defekten53§4.1.2Versetzungen56§4.1.3Korngrenzen59§4.2Elektrische Eigenschaften61§4.2.1Diffusionslänge61§4.2.2Ortsaufgelöste Bestimmung des Widerstands63§4.2.3Ladungsträger-Beweglichkeit und Dichte der Majoritäten64§4.3Sauerstoff in Silizium-Germanium65§4.4Bandlücke als Funktion der Ge-Konzentration71§5.SiGe-Solarzellen73§5.1Solar-Zell-Prozessierung73§5.2Charakterisierung73§5.3Diskussion der Ergebnisse77§Zusammenfassung und Ausblick79§Literaturverzeichnis81§Anhang87§A.Symbole und Abkürzungen87§B.Abbildungsverzeichnis89§C.Tabellenverzeichnis92§D.Materialeigenschaften von Silizium und Germanium93§E.Übersicht gezüchteter Kristalle96§F.Heizprogramm103

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