Ultrathin SiO2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics: Volume 567 / Nejlevnější knihy
Ultrathin SiO2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics: Volume 567

Kód: 02060208

Ultrathin SiO2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics: Volume 567

Autor H. R. HuffC. A. RichterM. L. GreenG. Lucovsky

Device scaling has been the engine driving the continued pervasiveness of the microelectronics revolution. The SIA roadmap calls for 4-5nm films (oxide equivalent thickness) in 2000, and

881


Očekávaný dotisk
Termín neznámý

Informovat o naskladnění

Přidat mezi přání

Mohlo by se vám také líbit

Dárkový poukaz: Radost zaručena

Objednat dárkový poukazVíce informací

Informovat o naskladnění knihy

Informovat o naskladnění knihy


Souhlas - Souhlasím se zasíláním obchodních sdělení a zpracováním osobních údajů k obchodním sdělením.

Zašleme vám zprávu jakmile knihu naskladníme

Zadejte do formuláře e-mailovou adresu a jakmile knihu naskladníme, zašleme vám o tom zprávu. Pohlídáme vše za vás.

Více informací o knize Ultrathin SiO2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics: Volume 567

Nákupem získáte 88 bodů

Anotace knihy

Device scaling has been the engine driving the continued pervasiveness of the microelectronics revolution. The SIA roadmap calls for 4-5nm films (oxide equivalent thickness) in 2000, and

Parametry knihy

Zařazení knihy Knihy v angličtině Technology, engineering, agriculture Mechanical engineering & materials Materials science

881

Oblíbené z jiného soudku



Osobní odběr Praha, Brno a 12903 dalších

Copyright ©2008-24 nejlevnejsi-knihy.cz Všechna práva vyhrazenaSoukromíCookies


Můj účet: Přihlásit se
Všechny knihy světa na jednom místě. Navíc za skvělé ceny.

Nákupní košík ( prázdný )

Vyzvednutí v Zásilkovně
zdarma nad 1 499 Kč.

Nacházíte se: