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Le transistor ŕ ionisation par impact (I-MOS) est une nouvelle architecture présentant l'avantage de s'affranchir de la barričre des 60mV/dec ŕ température ambiante, qui limite la pente sous le seuil de l'architecture MOSFET classique. Le I-MOS se présente comme une diode PiN dont la zone intrinsčque est partiellement recouverte par une grille. L'objectif de cette thčse est d'évaluer les performances du I-MOS comme candidat potentiel ŕ « l'aprčs CMOS », ŕ la fois du point de vue du dispositif unitaire et dans un environnement circuit. Nous avons fabriqué nos dispositifs sur substrats SOI et GeOI et proposé un procédé innovant de réalisation du I-MOS. Les dispositifs réalisés ont été testés électriquement afin de vérifier les propriétés fondamentales du I-MOS (2mV/dec mesurés...) et de comparer les performances du I-MOS avec celles des MOSFET co-intégrés. Le fonctionnement des I-MOS en mode tunnel bande ŕ bande a aussi été observé. Nous avons également développé un modčle analytique pour le I-MOS qui décrit correctement le fonctionnement électrique du dispositif. Ce modčle a ensuite été intégré dans un environnement SPICE pour réaliser des simulations de circuits ŕ base de I-MOS.

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Zařazení knihy Knihy ve francouzštině LITTÉRATURE GÉNÉRALE Essais littéraires

• Plný název: Travaux sur le transistor a ionisation par impact (i-mos)
• Autor: Frédéric Mayer
• Jazyk: Francouzština
• Vazba: Brožovaná
• Počet stran: 196
• EAN: 9786131501739
• ISBN: 6131501734
• ID: 07007285
• Nakladatelství: Omniscriptum
• Hmotnost: 295 g
• Rozměry: 229 × 152 × 11 mm
• Datum vydání: 28. February 2018

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