Mohlo by se vám také líbit

Informovat o naskladnění knihy

Více informací o knize The role of charge trapping in AlGaN/GaN-on-Si HEMT based power switches.

• Parametry knihy
• Anotace
• Oblíbené z jiného soudku

Nákupem získáte 174 bodů

Anotace knihy

This work is addressing device reliability and dynamic switching behavior as main obstacles for a future market launch of AlGaN/GaN-on-Si based power switches. The work is comparing different bias conditions, device designs, process parameter, and epitaxial properties. Charge trapping effects are localized and identified which deteriorate device parameter. Countermeasures are implemented to obtain good system performance and device reliability.

Parametry knihy

Zařazení knihy Knihy v angličtině Technology, engineering, agriculture Electronics & communications engineering Electronics engineering

• Plný název: The role of charge trapping in AlGaN/GaN-on-Si HEMT based power switches.
• Podnázev: Dissertationsschrift
• Autor: Matthias Wespel, Joachim Wagner, Fraunhofer IAF
• Jazyk: Angličtina
• Vazba: Brožovaná
• Počet stran: 185
• EAN: 9783839611982
• ISBN: 3839611989
• ID: 16506444
• Nakladatelství: Fraunhofer Verlag
• Hmotnost: 279 g
• Rozměry: 210 × 148 × 12 mm
• Datum vydání: 20. June 2017

Oblíbené z jiného soudku

---

---

---