Stress Management for 3D ICS Using Through Silicon Vias: / Nejlevnější knihy
Stress Management for 3D ICS Using Through Silicon Vias:

Kód: 01391450

Stress Management for 3D ICS Using Through Silicon Vias:

Autor Ehrenfried Zschech, Riko Radojcic, Valeriy Sukharev, Larry Smith

Scientist and engineers as well as graduate students in the fields of This conference will be of interest to anyone involved in Physics, Electrical Engineering, Materials Science and Engineering, Reliability and Quality Management ... celý popis

3233

Dostupnost:

50 % šanceMáme informaci, že by titul mohl být dostupný. Na základě vaší objednávky se ho pokusíme do 6 týdnů zajistit.
Prohledáme celý svět

Informovat o naskladnění

Přidat mezi přání

Mohlo by se vám také líbit

Dárkový poukaz: Radost zaručena

Objednat dárkový poukazVíce informací

Informovat o naskladnění knihy

Informovat o naskladnění knihy


Souhlas - Souhlasím se zasíláním obchodních sdělení a zpracováním osobních údajů k obchodním sdělením.

Zašleme vám zprávu jakmile knihu naskladníme

Zadejte do formuláře e-mailovou adresu a jakmile knihu naskladníme, zašleme vám o tom zprávu. Pohlídáme vše za vás.

Více informací o knize Stress Management for 3D ICS Using Through Silicon Vias:

Nákupem získáte 323 bodů

Anotace knihy

Scientist and engineers as well as graduate students in the fields of This conference will be of interest to anyone involved in Physics, Electrical Engineering, Materials Science and Engineering, Reliability and Quality Management, both in industry and academia. §One current challenge to micro- and nanoelectronics is the understanding of stress-related phenomena in 3D IC integration. Stresses arising in 3D TSV interconnects and in the surrounding materials due to thermal mismatch, microstructure changes or process integration can lead to performance reduction, reliability-limiting degradation and failure of microelectronic products. Understanding stress-related phenomena in new materials used for 3D integration and packaging, particularly using through silicon vias and microbumps, is critical for future microelectronic products. Management of mechanical stress is one of the key enablers for the successful implementation of 3D-integrated circuits using through silicon vias (TSVs). The potential stress-related impact of the 3D integration process on the device characteristics must be understood and shared, and designers need a solution for managing stress. The Proceedings summarize new research results and advances in basic understanding of stress-induced phenomena in 3D IC integration. Modelling and simulation capabilities as well as materials characterization are demonstrated to evaluate the effect of stress on product performance.

Parametry knihy

Zařazení knihy Knihy v angličtině Technology, engineering, agriculture Electronics & communications engineering Electronics engineering

3233

Oblíbené z jiného soudku



Osobní odběr Praha, Brno a 12903 dalších

Copyright ©2008-24 nejlevnejsi-knihy.cz Všechna práva vyhrazenaSoukromíCookies


Můj účet: Přihlásit se
Všechny knihy světa na jednom místě. Navíc za skvělé ceny.

Nákupní košík ( prázdný )

Vyzvednutí v Zásilkovně
zdarma nad 1 499 Kč.

Nacházíte se: