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Le rendement consommation/fréquence des futures générations de circuits intégrés sur silicium n'est pas satisfaisant ŕ cause de la faible mobilité électronique et des relativement grandes tensions d'alimentation VDD requises. Ce travail se propose d'explorer numériquement les potentialités des transistors ŕ effet de champ (FET) ŕ base de matériaux III-V pour un fonctionnement en haute fréquence et une ultra basse consommation.Tout d'abord, l'étude consiste ŕ analyser théoriquement le fonctionnement d'une capacité MOS III-V en résolvant de façon auto-cohérente les équations de Poisson et Schrödinger (PS). On peut ainsi comprendre comment et pourquoi les effets extrinsčques comme les états de pičges ŕ l'interface high-k/III-V dégradent les caractéristiques intrinsčques. Nous avons ensuite étudié plus en détails les performances des MOSFET III-V en régimes statiques et dynamiques sous faible VDD, ŕ l'aide du simulateur particulaire MONACO de type Monte Carlo. Les caractéristiques de quatre topologies de MOSFET ont été quantitativement étudiées en termes de rendement fréquence/consommation et de bruit. Nous en tirons des conclusions sur l'optimisation de ces dispositifs.

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Zařazení knihy Knihy ve francouzštině LITTÉRATURE GÉNÉRALE Essais littéraires

• Plný název: Simulation monte carlo de mosfet pour une electronique haute frequence
• Autor: Ming Shi
• Jazyk: Francouzština
• Vazba: Brožovaná
• Počet stran: 224
• EAN: 9786131595936
• ISBN: 6131595933
• ID: 07090066
• Nakladatelství: Omniscriptum
• Hmotnost: 336 g
• Rozměry: 229 × 152 × 13 mm
• Datum vydání: 28. February 2018

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