Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits / Nejlevnější knihy
Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits

Kód: 01969131

Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits

Autor P. Antognetti, D.A. Antoniadis, Robert W. Dutton, W.G. Oldham

Proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits, Sogesta, Urbino, Italy, July 12-23, 1982

2258 Kč

Dostupnost:

50 % šanceMáme informaci, že by titul mohl být dostupný. Na základě vaší objednávky se ho pokusíme do 6 týdnů zajistit.
Prohledáme celý svět

Informovat o naskladnění

Přidat mezi přání

Mohlo by se vám také líbit

Dárkový poukaz: Radost zaručena

Objednat dárkový poukazVíce informací

Informovat o naskladnění knihy

Informovat o naskladnění knihy


Souhlas - Souhlasím se zasíláním obchodních sdělení a zpracováním osobních údajů k obchodním sdělením.

Zašleme vám zprávu jakmile knihu naskladníme

Zadejte do formuláře e-mailovou adresu a jakmile knihu naskladníme, zašleme vám o tom zprávu. Pohlídáme vše za vás.

Více informací o knize Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits

Nákupem získáte 226 bodů

Anotace knihy

Proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits, Sogesta, Urbino, Italy, July 12-23, 1982

Parametry knihy

Zařazení knihy Knihy v angličtině Technology, engineering, agriculture Electronics & communications engineering Electronics engineering

2258 Kč

O tomto obchodě



Nákupní rádce
Přehledy
Knihy podle jazyka
Platba
Doručení 54 Kč

Osobní odběr Praha, Brno a 12903 dalších

Česko
България Hrvatska România Magyarország Polska Slovensko

Copyright ©2008-24 nejlevnejsi-knihy.cz Všechna práva vyhrazenaSoukromíCookies

Můj účet: Přihlásit se
Všechny knihy světa na jednom místě. Navíc za skvělé ceny.

Nákupní košík ( prázdný )

Vyzvednutí v Zásilkovně
zdarma nad 1 499 Kč.

Nacházíte se: