Mohlo by se vám také líbit

Více informací o knize Localization phenomenon in semiconductors; InGaAs, BGaAs and BInGaAs

• Parametry knihy
• Anotace
• Oblíbené z jiného soudku

Nákupem získáte 111 bodů

Anotace knihy

In this work, we have studied the optical properties of InGaAs, BGaAs and BInGaAs by photoluminescence experiment study. We have obtained an abnormal behaviors in keys of luminescence (N or W-shape in PL- line width, S-shape in energy..) as function of a temperature. A localized state ensemeble LSE model was employed to reproduce very well these behaviors and to extract the depth of localisation energy.

Parametry knihy

• Plný název: Localization phenomenon in semiconductors; InGaAs, BGaAs and BInGaAs
• Autor: Tarek Hidouri, Ibtissem Fraj, Faouzi Saidi
• Jazyk: Angličtina
• Vazba: Brožovaná
• Počet stran: 64
• EAN: 9783841732699
• ID: 16368090
• Nakladatelství: Éditions universitaires européennes
• Hmotnost: 104 g
• Rozměry: 229 × 152 × 4 mm
• Datum vydání: 25. April 2017

Oblíbené z jiného soudku

---

---

---