Mohlo by se vám také líbit

Více informací o knize Kremnievye p+-n-struktury, obluchennyh vysokojenjergeticheskimi ionami

• Parametry knihy
• Anotace
• Oblíbené z jiného soudku

Nákupem získáte 101 bodů

Anotace knihy

Razvitie fiziki radiacionnyh defektov v kremnii tesno svyazano s resheniem prakticheskih problem sozdaniya bystrodejstvujushhih silovyh tranzistorov i diodov, a takzhe povysheniya radiacionnoj stojkosti poluprovodnikovyh priborov. Aktual'nost' temy raboty opredelyaetsya neobhodimost'ju v novoj informacii: vo-pervyh, o vliyanii neravnomernogo raspredeleniya radiacionnyh defektov i ih skoplenij na perehodnye processy i perenos zaryada v bar'ernyh strukturah, chto mozhet byt' ispol'zovano dlya otrabotki novyh radiacionnyh tehnologij upravleniya staticheskimi i dinamicheskimi parametrami diskretnyh bipolyarnyh poluprovodnikovyh priborov; vo-vtoryh, o defektah, sozdavaemyh pri obluchenii poluprovodnikov vysokojenergeticheskimi tyazhelymi chasticami, chto vazhno dlya prognozirovaniya radiacionnoj stojkosti jelektronnyh priborov. V rabote izlozheny rezul'taty issledovanij kremnievyh p+-n-struktur, obluchennyh vysokojenergeticheskimi ionami vismuta, kriptona, xenona. Predstavleny jexperimental'nye dannye, podtverzhdajushhie vozmozhnost' ispol'zovaniya oblucheniya ionami vismuta s jenergiej 700 MjeV v tehnologii proizvodstva bystrodejstvujushhih silovyh diodov na kremnii.

Parametry knihy

• Plný název: Kremnievye p+-n-struktury, obluchennyh vysokojenjergeticheskimi ionami
• Jazyk: Ruština
• Vazba: Brožovaná
• Počet stran: 100
• EAN: 9783848491018
• ID: 16251087
• Nakladatelství: LAP Lambert Academic Publishing
• Hmotnost: 167 g
• Rozměry: 220 × 150 × 6 mm
• Rok vydání: 2017

Oblíbené z jiného soudku

---

---

---