Mohlo by se vám také líbit

Více informací o knize Kinetika jelektronnyh processov v Si i Ge v polyah vneshnih vozdejstvij

• Parametry knihy
• Anotace
• Oblíbené z jiného soudku

Nákupem získáte 158 bodů

Anotace knihy

V monografii predstavleny rezul'taty issledovaniya osobennostej izmenenij kineticheskih kojefficientov pod vozdejstviem oblucheniya, napravlennoj uprugoj deformacii i raznyh rezhimov termoobrabotki monokristallov kremniya i germaniya; proveden analiz vliyaniya primesej tehnologicheskogo proishozhdeniya na obrazovanie jelektricheski-aktivnyh komplexov; izucheny puti obespecheniya stabil'nosti parametrov poluprovodnikovyh sistem po otnosheniju k jeffektivnym vneshnim vozdejstviyam; vyyasnena rol' kak plavnyh (soizmerimyh s razmerami issleduemyh kristallov), tak i vysokogradientnyh neodnorodnostej nanoobektov; predlozhena metodologiya opredeleniya parametrov s povyshennoj chuvstvitel'nost'ju k ostatochnym neodnorodnostyam v poluprovodnikah. Monografiya prednaznachena dlya nauchnyh sotrudnikov i specialistov v oblasti poluprovodnikovogo materialovedeniya i radiacionnoj fiziki.

Parametry knihy

• Plný název: Kinetika jelektronnyh processov v Si i Ge v polyah vneshnih vozdejstvij
• Podnázev: Monografiya
• Autor: Galina Gajdar
• Jazyk: Ruština
• Vazba: Brožovaná
• Počet stran: 268
• EAN: 9783659798153
• ID: 02842079
• Nakladatelství: LAP Lambert Academic Publishing
• Hmotnost: 417 g
• Rozměry: 220 × 150 × 16 mm
• Datum vydání: 03. November 2015

Oblíbené z jiného soudku

---

---

---