Kód: 06976695
This monograph is the first on physics-based simulations of novel strained Si and SiGe devices. It provides an in-depth description of the full-band monte-carlo method for SiGe and discusses the common theoretical background of th ... celý popis
3313 Kč
Potřebujete více kusů?Máte-li zájem o více kusů, prověřte, prosím, nejprve dostupnost titulu na naši zákaznické podpoře.
Nákupem získáte 331 bodů
This monograph is the first on physics-based simulations of novel strained Si and SiGe devices. It provides an in-depth description of the full-band monte-carlo method for SiGe and discusses the common theoretical background of the drift-diffusion, hydrodynamic and Monte-Carlo models and their synergy.
Zařazení knihy Knihy v angličtině Computing & information technology Computer science Systems analysis & design
3313 Kč
Osobní odběr Praha, Brno a 12903 dalších
Copyright ©2008-24 nejlevnejsi-knihy.cz Všechna práva vyhrazenaSoukromíCookies
Nákupní košík ( prázdný )