Fast-Switching Monolithically Integrated High-Voltage GaN-on-Si Power Converters. / Nejlevnější knihy
Fast-Switching Monolithically Integrated High-Voltage GaN-on-Si Power Converters.

Kód: 21284995

Fast-Switching Monolithically Integrated High-Voltage GaN-on-Si Power Converters.

Autor Beatrix Weiß, Freiburg Fraunhofer IAF

The demand for electric energy is increasing continuously. Power electronics systems are the key elements to perform efficient and versatile energy conversion from the sources to the loads in all voltage and power levels. To impro ... celý popis

1959

Dostupnost:

50 % šanceMáme informaci, že by titul mohl být dostupný. Na základě vaší objednávky se ho pokusíme do 6 týdnů zajistit.
Prohledáme celý svět

Informovat o naskladnění

Přidat mezi přání

Mohlo by se vám také líbit

Darujte tuto knihu ještě dnes
  1. Objednejte knihu a zvolte Zaslat jako dárek.
  2. Obratem obdržíte darovací poukaz na knihu, který můžete ihned předat obdarovanému.
  3. Knihu zašleme na adresu obdarovaného, o nic se nestaráte.

Více informací

Informovat o naskladnění knihy

Informovat o naskladnění knihy


Souhlas - Souhlasím se zasíláním obchodních sdělení a zpracováním osobních údajů k obchodním sdělením.

Zašleme vám zprávu jakmile knihu naskladníme

Zadejte do formuláře e-mailovou adresu a jakmile knihu naskladníme, zašleme vám o tom zprávu. Pohlídáme vše za vás.

Více informací o knize Fast-Switching Monolithically Integrated High-Voltage GaN-on-Si Power Converters.

Nákupem získáte 196 bodů

Anotace knihy

The demand for electric energy is increasing continuously. Power electronics systems are the key elements to perform efficient and versatile energy conversion from the sources to the loads in all voltage and power levels. To improve power efficiency, reduce system costs and overall system size, passive components and semiconductor devices are subject to constant further development. Wide-bandgap semiconductors have particularly been paid attention to due to their high electric field strength, temperature stability and radiation resistivity. This work focuses on the material system AlGaN/GaN-on-Si, which offers wide-bandgap performance at low cost. Additionally, the lateral nature of this material compound enables the integration of complete power electronics topologies on a single die. In Fast-Switching Monolithically Integrated High-Voltage GaN-on-Si Power Converters the author presents two different integrated circuits (ICs) fabricated in a 600V-AlGaN/GaN-on-Si technology. Their operation is demonstrated up to voltage levels of 400 V, switching frequencies up to 5 MHz and power levels up to 900 W. Furthermore, challenges regarding this material system, such as dynamic on-resistance increase resulting from high substrate biases during IC-operation, as well as EMI-issues resulting from fast-switching, high-frequency power conversion are discussed in detail.

Parametry knihy

Zařazení knihy Knihy v angličtině Technology, engineering, agriculture

1959

Oblíbené z jiného soudku



Osobní odběr Praha, Brno a 12903 dalších

Copyright ©2008-24 nejlevnejsi-knihy.cz Všechna práva vyhrazenaSoukromíCookies


Můj účet: Přihlásit se
Všechny knihy světa na jednom místě. Navíc za skvělé ceny.

Nákupní košík ( prázdný )

Vyzvednutí v Zásilkovně
zdarma nad 1 499 Kč.

Nacházíte se: