Chemical H-Insertion into Gamma-Manganese Dioxides at Low Temperature / Nejlevnější knihy
Chemical H-Insertion into Gamma-Manganese Dioxides at Low Temperature

Kód: 09542543

Chemical H-Insertion into Gamma-Manganese Dioxides at Low Temperature

Autor Elmouna Ahmed

Gamma Manganese Dioxides (g-MnOx) are non-stoichiometric, stable, layered materials with interstitial space to accommodate inserted ions. g-MnOx have been used as battery materials for decades. This book presents an easy to read c ... celý popis

1643


Skladem u dodavatele
Odesíláme za 14-18 dnů
Přidat mezi přání

Mohlo by se vám také líbit

Dárkový poukaz: Radost zaručena

Objednat dárkový poukazVíce informací

Více informací o knize Chemical H-Insertion into Gamma-Manganese Dioxides at Low Temperature

Nákupem získáte 164 bodů

Anotace knihy

Gamma Manganese Dioxides (g-MnOx) are non-stoichiometric, stable, layered materials with interstitial space to accommodate inserted ions. g-MnOx have been used as battery materials for decades. This book presents an easy to read comprehensive body of research work into the production of a series of H-inserted g-MnOx (with 1.5x2); thoroughly characterised using a range of techniques including XRD, SEM and FTIR and electrode potential measurements. The characterisation reveled many interesting structural changes in the materials caused by H-insertion. The FTIR study at low temperature presents, for the first time, tangible evidence of mobile H in one of the most defected g-MnOx. This can open avenues of new applications of MnOx as well as other layered materials of similar structures like conducting oxides.

Parametry knihy

Zařazení knihy Knihy v angličtině Mathematics & science Chemistry

1643

Oblíbené z jiného soudku



Osobní odběr Praha, Brno a 12903 dalších

Copyright ©2008-24 nejlevnejsi-knihy.cz Všechna práva vyhrazenaSoukromíCookies


Můj účet: Přihlásit se
Všechny knihy světa na jednom místě. Navíc za skvělé ceny.

Nákupní košík ( prázdný )

Vyzvednutí v Zásilkovně
zdarma nad 1 499 Kč.

Nacházíte se: