Mohlo by se vám také líbit

Více informací o knize Carrier Lifetime Dynamics of Epitaxial Layer Hvpe Gallium Arsenide Using Time-Resolved Experiments

• Parametry knihy
• Anotace
• Oblíbené z jiného soudku

Nákupem získáte 165 bodů

Anotace knihy

GaAs is a potential semiconductor material for producing both mid-infrared and terahertz radiation using the new technique of quasi-phase matching in an orientationally patterned GaAs (OP-GaAs) crystal. OP-GaAs is grown using a fast growth process called hydride vapor phase epitaxy (HVPE), unfortunately, HVPE produces a high number of defects. These defects cause Shockley-Read-Hall recombination rates to dominate over Auger and radiative recombination rates. The carrier lifetime from four GaAs samples are reported here using two different experimental techniques. The first experiment used a streak camera to measure the carrier lifetime via time-resolved photoluminescence.

Parametry knihy

Zařazení knihy Knihy v angličtině Society & social sciences Education

• Plný název: Carrier Lifetime Dynamics of Epitaxial Layer Hvpe Gallium Arsenide Using Time-Resolved Experiments
• Autor: Wayne E Eikenberry
• Jazyk: Angličtina
• Vazba: Brožovaná
• Počet stran: 82
• EAN: 9781288405657
• ISBN: 9781288405657
• ID: 08250217
• Nakladatelství: Biblioscholar
• Hmotnost: 163 g
• Rozměry: 246 × 189 × 4 mm
• Datum vydání: 01. December 2012

Oblíbené z jiného soudku

---

---

---