Mohlo by se vám také líbit

Více informací o knize Applications of Silicon-Germanium Heterostructure Devices

• Parametry knihy
• Anotace
• Oblíbené z jiného soudku

Nákupem získáte 920 bodů

Anotace knihy

Deals with the design and optimization of transistors made from strained layers. This book covers key technology issues for the growth of strained layers, background theory of the HBT, and how device simulation can be used to predict the optimum HBT device structure for a particular application such as cryogenics.

Parametry knihy

Zařazení knihy Knihy v angličtině Mathematics & science Physics Materials / States of matter

• Plný název: Applications of Silicon-Germanium Heterostructure Devices
• Autor: G. A. Armstrong
• Jazyk: Angličtina
• Vazba: Pevná
• Počet stran: 402
• EAN: 9780750307239
• ISBN: 9780750307239
• ID: 06670073
• Nakladatelství: Taylor & Francis Ltd
• Hmotnost: 449 g
• Rozměry: 234 × 156 × 24 mm
• Datum vydání: 20. July 2001

Oblíbené z jiného soudku

---

---

---