Mohlo by se vám také líbit

Více informací o knize Physical MOSFET Model Applicable to Extremely Scaled CMOS IC Design

• Parametry knihy
• Anotace
• Oblíbené z jiného soudku

Nákupem získáte 262 bodů

Anotace knihy

Abstract: A process-based model (UFET) for deep-submicron bulk-silicon MOSFETs is developed and verified with numerical device simulations and measured data. The charge-based model is physical with accountings for the predominant short-channel (e.g., c

Parametry knihy

Zařazení knihy Knihy v angličtině Technology, engineering, agriculture Energy technology & engineering Electrical engineering

• Plný název: Physical MOSFET Model Applicable to Extremely Scaled CMOS IC Design
• Autor: DOUGLAS WEISER
• Jazyk: Angličtina
• Vazba: Pevná
• Počet stran: 210
• EAN: 9780530007977
• ISBN: 0530007975
• ID: 22569070
• Nakladatelství: Dissertation Discovery Company
• Hmotnost: 776 g
• Rozměry: 279 × 216 × 13 mm
• Datum vydání: 31. May 2019

Oblíbené z jiného soudku

---

---

---